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参数资料
| 型号： | DS1220AB-200IND+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 14 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 200ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 24-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1220AB/AD
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A : See Note 10)
(V CC = 5.0V ± 5% for DS1220AB)
(V CC = 5.0V ± 10% for DS1220AD)
DS1220AB-100
PARAMETER
SYMBOL
DS1220AD-100
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
t RC
t ACC
t OE
t CO
100
100
50
100
ns
ns
ns
ns
OE or CE to Output Active
Output High Z from
Deselection
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
t COE
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
5
5
100
75
0
0
10
5
40
0
10
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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ns
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1220AB-200IND+ | 功能描述:NVRAM 16k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1220AB-85 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM |
| DS1220AB-85IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM |
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| DS1220AD-100 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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