参数资料
型号: DS1230AB-100+
厂商: Maxim Integrated Products
文件页数: 7/10页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 12
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 100ns
接口: 并联
电源电压: 4.75 V ~ 5.25 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 28-EDIP
包装: 管件
产品目录页面: 1432 (CN2011-ZH PDF)
DS1230Y/AB
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 13
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
SEE NOTE 11
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
(T A : See Note 10)
PARAMETER
V CC Fail Detect to CE and WE Inactive
SYMBOL
t PD
MIN
TYP
MAX
1.5
UNITS
μ s
NOTES
11
V CC slew from V TP to 0V
V CC slew from 0V to V TP
V CC Valid to CE and WE Inactive
V CC Valid to End of Write Protection
t F
t R
t PU
t REC
150
150
2
125
μ s
μ s
ms
ms
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PDF描述
AMM43DRTF CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD
DS1230AB-200+ IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
208810-1 CONN D-SUB PLUG HSING 13C3 MIX
212498-4 CONN D-SUB PLUG HSING 9C4 MIX
212498-1 CONN D-SUB PLUG HSING 9C4 MIX
相关代理商/技术参数
参数描述
DS1230AB-100+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1230AB-100IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230AB-100-IND 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1230AB-120 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1230AB-120+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube