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参数资料
| 型号： | DS1230AB-100 |
| 厂商： | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS INC |
| 元件分类： | Static RAM |
| 英文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA28 |
| 封装： | 0.740 INCH, DIP-28 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | DS1230AB-100 |
DS1230Y/AB
7 of 13
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 13
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
SEE NOTE 11
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
(tA: See Note 10)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
VCC Fail Detect to CE and WE Inactive
tPD
1.5
μs
11
VCC slew from VTP to 0V
tF
150
μs
VCC slew from 0V to VTP
tR
150
μs
VCC Valid to CE and WE Inactive
tPU
2
ms
VCC Valid to End of Write Protection
tREC
125
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| DS1230YP-70 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| DS1230Y-100 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, DMA28 |
| DS1230Y-200 | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230AB-100+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230AB-100IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230AB-100-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230AB-120+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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