参数资料
型号: DS1230AB-200IND+
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 12
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 200ns
接口: 并联
电源电压: 4.75 V ~ 5.25 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 28-EDIP
包装: 管件
DS1230Y/AB
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V CC = 5V ± 5% for DS1230AB)
(T A : See Note 10) (V CC = 5V ± 10% for DS1230Y)
DS1230AB-70
PARAMETER
SYMBOL
DS1230Y-70
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
Access Time
t RC
t ACC
70
70
ns
ns
OE
CE
to Output Valid
to Output Valid
t OE
t CO
35
70
ns
ns
OE
or CE to Output Active
t COE
5
ns
5
Output High-Z from
Deselection
Output Hold from Address
Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High-Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
5
70
55
0
5
15
5
30
0
10
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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参数描述
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