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参数资料
| 型号： | DS1230ABP-120 |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于电池） |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 469K |
| 代理商： | DS1230ABP-120 |
DS1230Y/AB
7 of 12
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 13
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230AB-P120IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230ABP-120-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230AB-P150 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230ABP-150 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-P150IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
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