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参数资料
| 型号： | DS1230WP-100IND+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1230W
PACKAGES
The DS1230W is available in two packages: 28-pin DIP and 34-pin PowerCap Module (PCM). The 28-
pin DIP integrates a lithium battery, an SRAM memory and a nonvolatile control function into a single
package with a JEDEC-standard, 600-mil DIP pinout. The 34-pin PowerCap Module integrates SRAM
memory and nonvolatile control into a module base along with contacts for connection to the lithium
battery in the DS9034PC PowerCap. The PowerCap Module package design allows a DS1230W to be
surface mounted without subjecting its lithium backup battery to destructive high-temperature reflow
soldering. After a DS1230W module base is reflow soldered, a DS9034PC PowerCap is snapped on top
of the base to form a complete Nonvolatile SRAM module. The DS9034PC is keyed to prevent improper
attachment. DS1230W module bases and DS9034PC PowerCaps are ordered separately and shipped in
separate containers. See the DS9034PC data sheet for further information.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XF2M-1815-1A-R100 | CONNECTOR FPC 18POS 0.5MM SMD |
| DS1230ABP-100+ | IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM |
| DS1230ABP-70+ | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| DS1225AD-170+ | IC NVSRAM 64KBIT 170NS 28DIP |
| FA5S018HP1 | CONN FFC/FPC 0.5MM 18POS R/A SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230WP-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230WP-150 | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230WP-150+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230WP-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
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