参数资料
型号: DS1230Y-120IND+
厂商: Maxim Integrated Products
文件页数: 10/10页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 256KBIT 120NS 28DIP
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 12
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 120ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 28-EDIP
包装: 管件
DS1230Y/AB
REVISION HISTORY
REVISION
DATE
121907
11/10
DESCRIPTION
Added package information table; removed the DIP module
package drawing and dimension table
Updated the storage information, soldering temperature, and
lead temperature information in the Absolute Maximum Ratings
section; removed the -85, -100, -120, -150, and -200
MIN/MAX information from the AC Electrical Characteristics
table; updated the Ordering Information table (removed -85,
-100, -120, -150, and -200 parts and leaded -70 parts); removed
the PowerCap module drawings and updated the Package
Information table
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PAGES
CHANGED
9, 10
1, 4, 5, 9
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PDF描述
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参数描述
DS1230Y-120IND+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1230Y-150 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1230Y-150+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1230Y-150IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230Y-150-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM