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参数资料
| 型号： | DS1230Y-85+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 256KBIT 85NS 28DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 12 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 28-EDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1432 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | Q2791524 |
DS1230Y/AB
READ CYCLE
SEE NOTE 1
WRITE CYCLE 1
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 12
6 of 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HMC44DRYH | CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD |
| ASM43DSEF | CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET |
| AMM43DSEF | CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET |
| DS1230AB-150+ | IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP |
| ASM43DRTF | CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1230Y-85+ | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1230Y-85IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y-85-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y-AB | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230Y-FIR | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述: |
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