参数资料
型号: DS1248Y-70IND
厂商: Maxim Integrated Products
文件页数: 3/19页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP
标准包装: 11
类型: Phantom 计时芯片
特点: NVSRAM
存储容量: 128KB
时间格式: HH:MM:SS:hh(12/24 小时)
数据格式: YY-MM-DD-dd
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 32-EDIP
包装: 管件
DS1248/DS1248P 1024K NV SRAM with Phantom Clock
11 of 19
PHANTOM CLOCK AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Over the Operating Range (5V)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
Read Cycle Time
tRC
65
ns
CE
Access Time
tCO
55
ns
OE
Access Time
tOE
55
ns
CE
to Output Low-Z
tCOE
5
ns
OE
to Output Low-Z
tOEE
5
ns
CE
to Output High-Z
tOD
25
ns
5
OE
to Output High-Z
tODO
25
ns
5
Read Recovery
tRR
10
ns
Write Cycle Time
tWC
65
ns
Write Pulse Width
tWP
55
ns
3
Write Recovery
tWR
10
ns
10
Data Setup Time
tDS
30
ns
4
Data Hold Time
tDH
0
ns
4
CE
Pulse Width
tCW
60
ns
RST
Pulse Width
tRST
65
ns
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
Over the Operating Range (3.3V)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
CE
at VIH before Power-Down
tPD
0
s
VCC Slew from VPF(max) to
VPF(min)( CE at VPF)
tF
300
s
VCC Slew from VPF(min) to VSO
tFB
10
s
VCC Slew from VPF(max) to
VPF(min)(CE at VPF)
tR
0
s
CE
at VIH after Power-Up
tREC
1.5
2.5
ms
(TA = +25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
Expected Data-Retention Time
tDR
10
years
9
Warning: Under no circumstances are negative undershoots of any amplitude allowed when device
is in battery-backup mode.
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