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参数资料
| 型号： | DS1250AB-70 |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP |
| 标准包装： | 11 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 32-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1250Y/AB
READ CYCLE
SEE NOTE 1
WRITE CYCLE 1
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8, and 12
6 of 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-26M-CX-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 10V 75W |
| HBC49DRYN-S13 | CONN EDGECARD 98POS .100 EXTEND |
| DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32DIP |
| RL622-393K-RC | INDUCTOR FIXED 39000UH 10% RAD |
| ISL9000IRNFZ-T | IC REG LDO 3.3V/2.5V .3A 10-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1250AB-70+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-70IND | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250AB-70-IND | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1250AB-70IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1250ABL-100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
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