参数资料
型号: DS1250Y-70IND
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 10/10页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP
标准包装: 11
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 4M (512K x 8)
速度: 70ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 32-EDIP
包装: 管件
DS1250Y/AB
REVISION HISTORY
REVISION
DATE
121907
12/10
DESCRIPTION
Added the Package Information table; removed the DIP module
package drawing and dimension table
Updated the storage information, soldering temperature, and lead
temperature information in the Absolute Maximum Ratings
section; removed the -100 MIN/MAX information from the AC
Electrical Characteristics table; updated the Ordering
Information table (removed -100 parts and leaded -70 parts);
updated the Package Information table
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PAGES
CHANGED
8
1, 4, 5, 9
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PDF描述
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参数描述
DS1250Y-70-IND 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1250Y-70IND+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1250Y-70-W 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1250Y-EMC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:
DS1250YL-100 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)