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参数资料
| 型号： | DS1251W-120IND+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 2/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 120NS 32DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 11 |
| 类型： | Phantom 计时芯片 |
| 特点： | 闰年，NVSRAM |
| 存储容量： | 512KB |
| 时间格式： | HH:MM:SS:hh（12/24 小时） |
| 数据格式： | YY-MM-DD-dd |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.97 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 32-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1251/DS1251P
10 of 20
MEMORY AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = Over the operating range.) (5V)
3B
PARAMETER
SYMBOL
DS1251Y-70
UNITS
8B
NOTES
MIN
9B
MAX
Read Cycle Time
tRC
70
ns
Access Time
tACC
70
ns
OE
to Output Valid
tOE
35
ns
CE
to Output Valid
tCO
70
ns
OE
or CE to Output Active
tCOE
5
ns
5
Output High-Z from Deselection
tOD
25
ns
5
Output Hold from Address Change
tOH
5
ns
Write Cycle Time
tWC
70
ns
Write Pulse Width
tWP
50
ns
3
Address Setup Time
tAW
0
ns
Write Recovery Time
tWR
0
ns
Output High-Z from WE
tODW
25
ns
5
Output Active from WE
tOEW
5
ns
5
Data Setup Time
tDS
30
ns
4
Data Hold Time from WE
tDH
5
ns
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS1251WP | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k NV SRAM with Phantom Clock |
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| DS1251WP-120+ | 功能描述:实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| DS1251WP-120+C01 | 功能描述:实时时钟 4096K NV SRAM w/Phantom Clock RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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