参数资料
型号: DS1258AB-70
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 2MBIT 70NS 40DIP
标准包装: 9
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 2M (128K x 16)
速度: 70ns
接口: 并联
电源电压: 4.75 V ~ 5.25 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 40-DIP 模块(0.610",15.495mm)
供应商设备封装: 40-EDIP
包装: 管件
DS1258Y/AB
WRITE CYCLE 1
SEE NOTE 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 12
WRITE CYCLE 2
5 of 8
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PDF描述
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参数描述
DS1258AB-70# 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1258AB-70IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1258AB-70-IND 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM
DS1258AB-70IND# 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1258W 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 128k x 16 Nonvolatile