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参数资料
| 型号： | DS1258Y-100 |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40DIP |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 2M (128K x 16) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 40-DIP 模块（0.610"，15.495mm） |
| 供应商设备封装： | 40-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1258Y/AB
DS1258Y/AB NONVOLATILE SRAM 40-PIN, 740-MIL EXTENDED MODULE
PKG
40-PIN
8 of 8
DIM
A IN.
MM
B IN.
MM
C IN.
MM
D IN.
MM
E IN.
MM
F IN.
MM
G IN.
MM
H IN.
MM
J IN.
MM
K IN.
MM
MIN
2.080
52.83
0.715
18.16
0.345
8.76
0.085
2.16
0.015
0.38
0.120
3.05
0.090
2.29
0.590
14.99
0.008
0.20
0.015
0.43
MAX
2.100
53.34
0.740
18.80
0.365
9.27
0.115
2.92
0.030
0.76
0.160
4.06
0.110
2.79
0.630
16.00
0.012
0.30
0.025
0.58
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5745886-2 | CONN D-SUB RCPT STR 25POS PCB AU |
| 3-338312-2 | CONN D-SUB PLUG 37POS VERT GOLD |
| GRM1885C1H271JA01D | CAP CER 270PF 50V 5% NP0 0603 |
| T86C106K020EBAS | CAP TANT 10UF 20V 10% 2312 |
| DS1258AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT 100NS 40DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1258Y-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258Y-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258Y-70 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258Y-70# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258Y-70IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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