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参数资料
| 型号： | DS1258Y-100 |
| 英文描述： | 128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| 中文描述： | 128K的× 16非易失SRAM |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 174K |
| 代理商： | DS1258Y-100 |
DS1258Y/AB
5 of 8
WRITE CYCLE 1
SEE NOTE 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 12
WRITE CYCLE 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1258Y-100-IND | 128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258Y | 128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1259 | Battery Manager Chip |
| DS12CR887 | RTC with Constant-Voltage Trickle Charger |
| DS12CR887-33 | RTC with Constant-Voltage Trickle Charger |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1258Y-100# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258Y-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:128k x 16 Nonvolatile SRAM |
| DS1258Y-70 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258Y-70# | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1258Y-70IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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