参数资料
型号: DS1270W-100
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 16MBIT 100NS 36DIP
标准包装: 9
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 16M(2M x 8)
速度: 100ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 36-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 36-EDIP
包装: 管件
DS1270W
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A : See Note 10; V CC = 3.3V ± 0.3V)
PARAMETER
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
OE or CE to Output Active
Output High-Z from Deselection
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High-Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
SYMBOL
t RC
t ACC
t OE
t CO
t COE
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
DS1270W-100
MIN MAX
100
100
50
100
5
35
5
100
75
0
5
20
35
5
40
0
20
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
5
5
3
12
13
5
5
4
12
13
TIMING DIAGRAM: READ CYCLE
SEE NOTE 1
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DS1270W-100IND 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270W-100IND# 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube
DS1270W-150# 功能描述:NVRAM 3.3V 16M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube