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参数资料
| 型号： | DS1270Y-70IND# |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 16MBIT 70NS 36DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 9 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 36-EDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1270Y/AB
AC ELECTRICAL
CHARACTERISTICS
(V CC =5V ± 5% for DS1270AB)
(T A : S ee Note 10) (V CC =5V ± 10% for DS1270Y)
DS1270AB-70
PARAMETER
SYMBOL
DS1270Y-70
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
Access Time
OE to Output Valid
CE to Output Valid
t RC
t ACC
t OE
t CO
70
70
35
70
ns
ns
ns
ns
OE or CE to Output Active
Output High Z from Deselection
Output Hold from Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
Output High Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
t COE
t OD
t OH
t WC
t WP
t AW
t WR1
t WR2
t ODW
t OEW
t DS
t DH1
t DH2
5
5
70
55
0
5
15
5
30
0
10
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
3
12
13
5
5
4
12
13
TIMING DIAGRAM: READ CYCLE
SEE NOTE 1
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PDF描述 |
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