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参数资料
| 型号： | DS1314 |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRLR NV W/BATT MON 3V 8-DIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 50 |
| 控制器类型： | 非易失性 RAM |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
DS1312
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FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM Figure 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCB108DHLD | CONN EDGECARD 216PS DIP .050 SLD |
| V24C5H100BF3 | CONVERTER MOD DC/DC 5V 100W |
| RCB90DHFR | CONN EDGECARD 180POS .050 SMD |
| HCC50DRXI | CONN EDGECARD 100PS DIP .100 SLD |
| LTC4300-2IMS8#TRPBF | IC HOTSWAP 2WIRE BUS BUFFR 8MSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1314_05 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3V Nonvolatile Controller with Lithium Battery Monitor |
| DS1314+ | 功能描述:IC CTRLR NV W/BATT MON 8-DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
| DS1314E | 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
| DS1314E/T&R | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:NV CONTRL 3V BW&RST 20-TSSOP T&R - Tape and Reel 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP |
| DS1314E/T&R | 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
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