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参数资料
| 型号： | DS1314E |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 74 |
| 控制器类型： | 非易失性 RAM |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
DS1314
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FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM Figure 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R2D12-2412/H-R | CONV DC/DC 2W +/-12VOUT SMD |
| ISL80103IR25Z-TK | IC REG LDO 2.5V 3A 10DFN |
| DS1314E+T&R | IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP |
| R2D12-2412/P-R | CONV DC/DC 2W +/-12VOUT SMD |
| ISL80103IR25Z-T | IC REG LDO 2.5V 3A 10DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1314E/T&R | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:NV CONTRL 3V BW&RST 20-TSSOP T&R - Tape and Reel 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP |
| DS1314E/T&R | 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
| DS1314E+ | 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
| DS1314E+T&R | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:NONVOLATILE CNTRLR W/ LITHIUM BATTERY MONITOR 20TSSOP - Tape and Reel 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP |
| DS1314E+T&R | 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 - 控制器 系列:- 标准包装:45 系列:- 控制器类型:静态 RAM（SRAM） 电源电压:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:管件 |
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