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参数资料
| 型号： | DS1330WP-100IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1330W
FRESHNESS SEAL
Each DS1330W is shipped from Dallas Semiconductor with its lithium energy source disconnected,
guaranteeing full energy capacity. When V CC is first applied at a level greater than V TP , the lithium
energy source is enabled for battery backup operation.
PACKAGES
The 34-pin PowerCap Module integrates SRAM memory and nonvolatile control into a module base
along with contacts for connection to the lithium battery in the DS9034PC PowerCap. The PowerCap
Module package design allows a DS1330W device to be surface mounted without subjecting its lithium
backup battery to destructive high-temperature reflow soldering. After a DS1330W module base is reflow
soldered, a DS9034PC is snapped on top of the base to form a complete Nonvolatile SRAM module. The
DS9034PC is keyed to prevent improper attachment. DS1330W module bases and DS9034PC
PowerCaps are ordered separately and shipped in separate containers. See the DS9034PC data sheet for
further information.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMEG2020EJ,115 | SCHOTTKY RECT 20V 2A SOD323F |
| RCM08DTBD | CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD |
| DS1330YP-70 | IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34PCM |
| VE-B1L-EU-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W |
| VI-2NF-CX-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 72V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1330WP-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1330WP-150 | 功能描述:NVRAM 3.3V 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1330WP-150+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1330WP-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330Y | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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