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参数资料
| 型号： | DS1330YL-70 |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | Static RAM |
| 英文描述： | 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDSO34 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | DS1330YL-70 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1345AB | 128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| DS1345Y | 128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| DS1345W | 128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, DMA34 |
| DS1345YL-70 | 128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, PDSO34 |
| DS1345YL-100 | 128K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100 ns, PDSO34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1330YL-70IND | 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1330YL-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330YP-100 | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1330YP-100+ | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1330YP-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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