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参数资料
| 型号： | DS1345WP-100IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1345W
WRITE CYCLE 1
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 12
WRITE CYCLE 2
SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 7, 8 AND 13
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R0.25D12-3.33.3/P | CONV DC/DC 0.25W 3.3V +/-3.3VOUT |
| GBC20DCMI | CONN EDGECARD 40POS .100" WW |
| 10018783-10000TLF | CONN PCI EXPRESS 36POS VERT PCB |
| VE-2WZ-CV | CONVERTER MOD DC/DC 2V 60W |
| VE-B43-CV-S | CONVERTER MOD DC/DC 24V 150W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1345WP-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1345WP-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1345WP-150 | 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1345WP-150+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1345WP-150-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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