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参数资料
| 型号： | DS1345YP-70+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34PCM |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1345Y/AB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature Range
Lead Temperature (soldering, 10s)
Soldering Temperature (reflow)
-0.3V to +6.0V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-55°C to +125°C
+260°C
+260°C
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation sections of this
specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
DS1345AB Power Supply Voltage
DS1345Y Power Supply Voltage
Logic 1
Logic 0
SYMBOL
V CC
V CC
V IH
V IL
MIN
4.75
4.5
2.2
0.0
TYP
5.0
5.0
MAX
5.25
5.5
V CC
0.8
UNITS
V
V
V
V
NOTES
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V CC = 5V ± 5% for DS1345AB)
(T A : See Note 10) (V CC = 5V ± 10% for DS1345Y)
PARAMETER
Input Leakage Current
I/O Leakage Current CE ≥ V IH ≤ V CC
Output Current @ 2.4V
Output Current @ 0.4V
Standby Current CE = 2.2V
Standby Current CE = V CC -0.5V
SYMBOL
I IL
I IO
I OH
I OL
I CCS1
I CCS2
MIN
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
TYP
200
50
MAX
+1.0
+1.0
600
150
UNITS
μ A
μ A
mA
mA
μ A
μ A
NOTES
14
14
Operating Current
I CCO1
85
mA
Write Protection Voltage (DS1345AB)
Write Protection Voltage (DS1345Y)
V TP
V TP
4.50
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
V
V
CAPACITANCE
(T A = +25 ° C)
PARAMETER
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
5
5
MAX
10
10
UNITS
pF
pF
NOTES
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XF2M-2615-1A-R100 | CONNECTOR FPC 26POS 0.5MM SMD |
| DS1345WP-100+ | IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34PCM |
| DS1345ABP-70+ | IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34PCM |
| FB6S051JA1 | CONN FFC/FPC 0.3MM 51POS R/A SMD |
| FF02S17SV1 | CONN FFC/FPC 0.3MM 17POS R/A SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1345YP-70+ | 功能描述:NVRAM 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1345YP-70IND | 功能描述:NVRAM 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1345YP-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1345YP-70IND+ | 功能描述:NVRAM 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1345YP-C01 | 功能描述:NVRAM 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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