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参数资料
| 型号： | DS1350ABP-100 |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1350Y/AB
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
BATTERY WARNING DETECTION
SEE NOTE 14
7 of 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VI-J1D-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 85V 50W |
| TPSD107K016R0150 | CAP TANT 100UF 16V 10% 2917 |
| NCV87722DT50RKG | IC REG LDO 5V .35A DPAK-4 |
| NCV87722DT33RKG | IC REG LDO 3.3V .35A DPAK-4 |
| VI-21Y-CU-S | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 132W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1350ABP-100+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350ABP-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1350ABP-70 | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350ABP-70+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350ABP-70IND | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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