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参数资料
| 型号： | DS1350YP-70 |
| 厂商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | Static RAM |
| 英文描述： | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| 封装： | POWERCAP MODULE-34 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | DS1350YP-70 |
DS1350Y/AB
4 of 12
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS*
Voltage on Any Pin Relative to Ground
-0.3V to +7.0V
Operating Temperature
0°C to 70°C, -40°C to +85°C for IND parts
Storage Temperature
-40°C to +70°C, -40°C to +85°C for IND parts
Soldering Temperature
260°C for 10 seconds
*
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions
above those indicated in the operation sections of this specification is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(tA: See Note 10)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
DS1350AB Power Supply Voltage
VCC
4.75
5.0
5.25
V
DS1350Y Power Supply Voltage
VCC
4.5
5.0
5.5
V
Logic 1
VIH
2.2
VCC
V
Logic 0
VIL
0.0
0.8
V
DC ELECTRICAL
(VCC=5V
±=5% for DS1350AB)
CHARACTERISTICS
(tA: See Note 10) (VCC=5V
±=10% for DS1350Y)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Leakage Current
IIL
-1.0
+1.0
A
I/O Leakage Current CE
≥ V
IH
≤ V
CC
IIO
-1.0
+1.0
A
Output Current @ 2.4V
IOH
-1.0
mA
14
Output Current @ 0.4V
IOL
2.0
mA
14
Standby Current CE =2.2V
ICCS1
200
600
A
Standby Current CE =VCC-0.5V
ICCS2
50
150
A
Operating Current
ICCO1
85
mA
Write Protection Voltage (DS1350AB)
VTP
4.50
4.62
4.75
V
Write Protection Voltage (DS1350Y)
VTP
4.25
4.37
4.5
V
CAPACITANCE
(tA=25
°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
CIN
510
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
510
pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1350ABP-70 | 512K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70 ns, DMA34 |
| DS1384FP-12 | 1 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PQFP44 |
| DS1386-32-120 | 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDIP32 |
| DS14285QN | 1 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PQCC28 |
| DS14285S | 1 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDSO24 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1350YP-70+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350YP-70IND | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350YP-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1350YP-70IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350YP-C01 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
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