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参数资料
| 型号： | DS1350YP-70IND |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 34PCM |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 4M (512K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 34-PowerCap? 模块 |
| 供应商设备封装： | 34-PowerCap 模块 |
| 包装： | 管件 |
DS1350Y/AB
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltage on Any Pin Relative to Ground
Operating Temperature Range
Commercial:
Industrial:
Storage Temperature Range
Lead Temperature (soldering, 10s)
Soldering Temperature (reflow)
-0.3V to +6.0V
0°C to +70°C
-40°C to +85°C
-55°C to +125°C
+260°C
+260°C
This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operation sections of this
specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods of time may affect reliability.
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS
(T A : See Note 10)
PARAMETER
DS1350AB Power Supply Voltage
DS1350Y Power Supply Voltage
Logic 1
Logic 0
SYMBOL
V CC
V CC
V IH
V IL
MIN
4.75
4.5
2.2
0.0
TYP
5.0
5.0
MAX
5.25
5.5
V CC
0.8
UNITS
V
V
V
V
NOTES
DC E L E C T R IC A L C HA R A C T E R IS T IC S (V CC = 5V ± 5% for DS1350AB)
(T A : See Note 10) (V CC = 5V ± 10% for DS1350Y)
PARAMETER
Input Leakage Current
I/O Leakage Current CE ≥ V IH ≤ V CC
Output Current @ 2.4V
Output Current @ 0.4V
Standby Current CE =2.2V
Standby Current CE =V CC -0.5V
SYMBOL
I IL
I IO
I OH
I OL
I CCS1
I CCS2
MIN
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
TYP
200
50
MAX
+1.0
+1.0
600
150
UNITS
μ A
μ A
mA
mA
μ A
μ A
NOTES
14
14
Operating Current
I CCO1
85
mA
Write Protection Voltage (DS1350AB)
Write Protection Voltage (DS1350Y)
V TP
V TP
4.50
4.25
4.62
4.37
4.75
4.5
V
V
CAPACITANCE
(T A = +25 ° C)
PARAMETER
Input Capacitance
Input/Output Capacitance
SYMBOL
C IN
C I/O
MIN
TYP
5
5
MAX
10
10
UNITS
pF
pF
NOTES
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5174683-8 | CONN D-CAP MALE PINS 96POS VERT |
| T86E337K004EAAL | CAP TANT 330UF 4V 10% 2917 |
| VE-2WV-CX | CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W |
| R2S12-1515/H-R | CONV DC/DC 2W 15VIN 15VOUT SMD |
| GEM18DCMI | CONN EDGECARD 36POS .156 SQ WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS1350YP-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1350YP-70IND+ | 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1350YP-C01 | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube |
| DS1351 | 制造商:MA-COM 制造商全称:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Shielded Drum Core Inductors |
| DS1351-100M | 功能描述:INDUCTOR 10UH 2A 20% 1351 RoHS:否 类别:电感器，线圈，扼流圈 >> 固定式 系列:DS1351 标准包装:500 系列:1331 电感:1.2µH 电流:247mA 电流 - 饱和:247mA 电流 - 温升:- 类型:铁芯体 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):最大 730 毫欧 Q因子@频率:40 @ 7.9MHz 频率 - 自谐振:130MHz 材料 - 芯体:铁 封装/外壳:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安装类型:表面贴装 包装:带卷 (TR) 工作温度:-55°C ~ 105°C 频率 - 测试:7.9MHz |
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