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参数资料
| 型号： | DS1689S |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 19/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RTC SER W/NV RAM CTRL 28-SOIC |
| 标准包装： | 26 |
| 类型： | 时钟/日历 |
| 特点： | NVSRAM |
| 存储容量： | 114B |
| 时间格式： | HH:MM:SS（12/24 小时） |
| 数据格式： | YY-MM-DD-dd |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V，4.5 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 电源，电池： | 2.5 V ~ 3.7 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC |
| 包装： | 管件 |
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DS1689/DS1693
26 of 36
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS—3V
(Over the operating range.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
Average VCC Power-Supply Current
ICC1
5
10
mA
2, 3
CMOS Standby Current
(
CS = VCC - 0.2V)
ICC2
0.5
2
mA
2, 3
Input Leakage Current (Any Input)
IIL
-1
+1
A
CEI Input Leakage
ICEI
-160
+1
A
15
PSEL Input Leakage
IPSEL
+1
-160
A
16
Output Leakage Current
IOL
+160
-1
A
8
Output Logic 1 Voltage (IOUT = 0.4mA)
VOH
2.4
V
Output Logic 0 Voltage (IOUT = 0.8mA)
VOL
0.4
V
Output Voltage
VCCO1
VCC -
0.3
V
4
Output Current
ICCO1
50
mA
4
Power-Fail Trip Point
VPF
2.5
2.6
2.7
V
5
Output Voltage
VCCO2
VBAT -
0.3
V
6
Output Current
ICCO2
100
A
6
Battery Leakage OSC ON
IBAT1
500
1000
nA
Battery Leakage OSC OFF
IBAT2
50
150
nA
17
I/O Leakage
ILO
-1
+1
A
7
PWR Output at 0.4V
IOLPWR
4
mA
1
CEI to CEO Impedance
ZCE
120
12
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS1689S/T | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:3V/5V Serialized Real-Time Clocks with NV RAM Control |
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| DS1689S/T&R | 功能描述:实时时钟 RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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