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参数资料
| 型号： | DS16EV5110ASQ/NOPB |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EQUALIZER VIDEO 3D+C 48LLP |
| 产品培训模块： | Signal Conditioning Applications |
| 标准包装： | 1,000 |
| 类型： | 视频均衡器 |
| 应用： | HD 显示器，DVI/HDMI |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-WFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 48-LLP（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | DS16EV5110ASQ DS16EV5110ASQ-ND DS16EV5110ASQ/NOPBTR |
FJD5304D
—
Hig
h
V
o
lt
age
F
ast
Switching
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A1
2
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
J5304D
FJD5304DTM
D-PAK
13” Dia
-
2500
J5304D
FJD5304DTF
D-PAK
13” Dia
-
2000
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max. Units
BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 1mA, IE = 0
700
V
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 5mA, IB = 0
400
V
BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 1mA, IC = 0
12
V
ICES
Collector Cut-off Current
VCB = 700V, IE = 0
100
A
ICEO
Collector Cut-off Current
VCB = 400V, IB = 0
250
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB = 12V, IC = 0
1
mA
hFE
DC Current Gain
VCE = 5V, IC = 10mA
VCE = 5V, IC = 2.0A
10
840
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 0.5A, IB = 0.1A
0.7
V
IC = 1.0A, IB = 0.2A
1.0
V
IC = 2.5A, IB = 0.5A
1.5
V
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 0.5A, IB = 0.1A
1.1
V
IC = 1.0A, IB = 0.2A
1.2
V
IC = 2.5A, IB = 0.5A
1.3
V
tSTG
Storage Time
VCLAMP=200V, IC=2.0A,
IB1=0.4A, VBE(off)=-5V, L=200H
0.6
s
tF
Fall Time
0.1
s
tSTG
Storage Time
VCC=250V, IC=2.0A,
IB1=0.4A, IB2=-0.4A, TP=30s
2.9
s
tF
Fall Time
0.2
s
VF
Diode Forward Voltage
IF = 2A
2.5
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DS16EV5110EVKH | 功能描述:KIT DEMO HDMI CABLE EXTENDER RoHS:否 类别:编程器，开发系统 >> 评估演示板和套件 系列:- 产品培训模块:Obsolescence Mitigation Program 标准包装:1 系列:- 主要目的:电源管理，电池充电器 嵌入式:否 已用 IC / 零件:MAX8903A 主要属性:1 芯锂离子电池 次要属性:状态 LED 已供物品:板 |
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