参数资料
型号: DS1742-100IND
厂商: Maxim Integrated Products
文件页数: 17/17页
文件大小: 0K
描述: IC RTC RAM Y2K 5V 100NS 24-EDIP
产品培训模块: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
标准包装: 14
类型: 时钟/日历
特点: 闰年,NVSRAM,Y2K
存储容量: 2KB
时间格式: HH:MM:SS(24 小时)
数据格式: YY-MM-DD-dd
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 24-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商设备封装: 24-EDIP
包装: 管件
其它名称: DS1742-100 IND
DS1742-100 IND-ND
DS1742
9 of 17
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(VCC = 3.3V ±10%, Over the operating range.)
11B
PARAMETER
12B
SYMBOL
13B
MIN
14B
TYP
15B
MAX
16B
UNITS
17B
NOTES
Active Supply Current
ICC
10
30
mA
2, 3
TTL Standby Current ( CE =
VIH)
ICC1
0.7
2
mA
2, 3
CMOS Standby Current
( CE ≥VCC - 0.2V)
ICC2
0.7
2
mA
2, 3
Input Leakage Current (any
input)
IIL
-1
+1
A
Output Leakage Current
(Any Output)
IOL
-1
+1
A
Output Logic 1 Voltage
(IOUT = -1.0mA)
VOH
2.4
1
Output Logic 0 Voltage
(IOUT =2.1mA)
VOL
0.4
1
Write Protection Voltage
VPF
2.80
2.97
V
1
Battery Switchover Voltage
VSO
VBAT or
VPF
V
1, 4
AC CHARACTERISTICS—READ CYCLE (5V)
(VCC = 5.0V ±10%, Over the operating range.)
34B
PARAMETER
35B
SYMBOL
85ns
ACCESS
100ns ACCESS UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
Read Cycle Time
tRC
85
100
ns
Address Access Time
tAA
85
100
ns
CE
to DQ Low-Z
tCEL
5
ns
CE
Access Time
tCEA
85
100
ns
CE
Data Off time
tCEZ
30
35
ns
OE
to DQ Low-Z
tOEL
5
ns
OE
Access Time
tOEA
45
55
ns
OE
Data Off Time
tOEZ
30
35
ns
Output Hold from
Address
tOH
5
ns
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