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参数资料
| 型号： | DS1746W-120+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RTC RAM Y2K 3.3V 120NS 32EDIP |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 11 |
| 类型： | 时钟/日历 |
| 特点： | 闰年，NVSRAM，Y2K |
| 存储容量： | 128KB |
| 时间格式： | HH:MM:SS（24 小时） |
| 数据格式： | YY-MM-DD-dd |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.97 V ~ 3.63 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 32-EDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1434 (CN2011-ZH PDF) |
DS1746/DS1746P Y2K-Compliant, Nonvolatile Timekeeping RAMs
11 of 16
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE (5V)
(VCC = 5.0V ±10%, TA = Over the Operating Range.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Write Cycle Time
tWC
70
ns
Address Setup Time
tAS
0
ns
WE Pulse Width
tWEW
50
ns
CE Pulse Width
tCEW
60
ns
Data Setup Time
tDS
30
ns
Data Hold Time
tDH1
0
ns
8
Data Hold Time
tDH2
0
ns
9
WE Data Off Time
tWEZ
25
ns
Write Recovery Time
tWR1
5
ns
8
Write Recovery Time
tWR2
5
ns
9
AC CHARACTERISTICS—WRITE CYCLE (3.3V)
(VCC = 3.3V ±10%, TA = Over the Operating Range.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Write Cycle Time
tWC
120
ns
Address Setup Time
tAS
0
120
ns
WE Pulse Width
tWEW
100
ns
CE Pulse Width
tCEW
110
ns
CE and CE2 Pulse Width
tCEW
110
ns
Data Setup Time
tDS
80
ns
Data Hold Time
tDH1
0
ns
8
Data Hold Time
tDH2
0
ns
9
WE Data Off Time
tWEZ
40
ns
Write Recovery Time
tWR1
5
ns
8
Write Recovery Time
tWR2
10
ns
9
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参数描述 |
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| DS1746W-120IND+ | 功能描述:实时时钟 Timekeeping NV RAM RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
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