参数资料
型号: DS2030Y-100#
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 5/12页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 100ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 256-BBGA
供应商设备封装: 256-BGA(27x27)
包装: 托盘
DS2030Y/AB Single-Piece 256kb
Nonvolatile SRAM
Write Cycle 1
t WC
ADDRESSES
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
V IL
t AW
CE
V IL
t WP
V IL
t WR1
WE
V IH
V IL
V IL
V IH
D OUT
t ODW
HIGH
IMPEDANCE
t OEW
D IN
V IH
V IL
t DS
DATA IN STABLE
t DH1
V IH
V IL
(SEE NOTES 2, 3, 4, 6, 10 – 13.)
Write Cycle 2
t WC
ADDRESSES
CE
V IH
V IL
t AW
V IH
V IL
V IL
t WP
V IL
V IH
t WR2
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
WE
D OUT
t COE
V IL
t ODW
V IL
D IN
(SEE NOTES 2, 3, 5, 6, 10 – 13.)
V IH
V IL
t DS
DATA IN STABLE
t DH2
V IH
V IL
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PDF描述
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