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参数资料
| 型号： | DS2070W-100# |
| 厂商： | Maxim Integrated |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC NVSRAM 16MBIT 100NS 256BGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量： | 16M（2M x 8） |
| 速度： | 100ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-BBGA |
| 供应商设备封装： | 256-BGA（27x27） |
| 包装： | 托盘 |
3.3V Single-Piece 16Mb
Nonvolatile SRAM
Typical Operating Characteristics
(V CC = +3.3V, T A = +25 ° C, unless otherwise noted.)
SUPPLY CURRENT
vs. OPERATING FREQUENCY
SUPPLY CURRENT
vs. SUPPLY VOLTAGE
BATTERY CHARGER CURRENT
vs. BATTERY VOLTAGE
12
10
8
6
T A = +25°C
5MHz CE-ACTIVATED
50% DUTY CYCLE
5MHz ADDRESS-
1MHz CE-ACTIVATED
50% DUTY CYCLE
1000
900
800
V CC = CE = 3.3V,
V BAT = V CHARGE ,
OSC = ON
8
7
6
5
4
V CC = CE = 3.3V
4
2
ACTIVATED
100% DUTY CYCLE
1MHz ADDRESS-
ACTIVATED
100% DUTY CYCLE
700
600
3
2
1
V CHARGE
0
500
0
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V CC (V)
V CHARGE PERCENT CHANGE
vs. TEMPERATURE
V CC (V)
V TP vs. TEMPERATURE
DELTA V BELOW V CHARGE (V)
DQ V OH vs. DQ I OH
1.0
0.5
V CC = 3.3V,
V BAT = V CHARGE
3.00
2.95
3.5
3.3
V CC = 3.3V
3.1
0
2.90
2.9
-0.5
-1.0
2.85
2.80
2.7
2.5
-40
-15
10
35
60
85
-40
-15
10
35
60
85
-5
-4
-3
-2
-1
0
TEMPERATURE ( ° C)
TEMPERATURE ( ° C)
RST OUTPUT-VOLTAGE LOW
I OH (mA)
RST VOLTAGE
0.4
V CC = 3.3V
DQ V OL vs. DQ I OL
0.6
vs. OUTPUT-CURRENT LOW
V CC = 2.8V
4.0
3.5
vs. V CC DURING POWER-UP
T A = +25°C
0.5
0.3
0.4
3.0
2.5
0.2
0.3
2.0
0.1
0.2
0.1
1.5
1.0
0.5
0
0
0
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I OL (mA)
I OL (mA)
V CC POWER-UP (V)
_____________________________________________________________________
7
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PDF描述 |
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