参数资料
型号: DS2227-070
厂商: Maxim Integrated
文件页数: 8/10页
文件大小: 0K
描述: IC NVSRAM 4MBIT 70NS 72SIMM
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量: 4M(128K x 32,256K x 16,512K x 8)
速度: 70ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 72-SIMM
供应商设备封装: 72-SIMM
包装: 托盘
DS2227
POWER-UP/POWER-DOWN CONDITION
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
CE at V IH Before
Power-down
V CC Slew from 4.5V to 4.25V
( CE at V IH )
V CC Slew from 0V to 4.5V
( CE at V IH )
t PD
t F
t R
0
300
0
μs
μs
μs
CE at V IH after Power-up
t REC
2
80
125
ms
(T A = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Expected Data Retention
t DR
10
years
8 of 10
相关PDF资料
PDF描述
DS2423D/T&R IC SRAM 4KBIT 6FCHIP
DS2430AP+T&R IC EEPROM 256BIT 6TSOC
DS2431GA+U IC EEPROM 1024BIT 2SFN
DS2433X-S#T IC EEPROM 4KBIT 6FCHIP
DS2433X-Z01 IC EEPROM 4KBIT 6FCHIP
相关代理商/技术参数
参数描述
DS2227-100 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 72SIMM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS2227-120 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 120NS 72SIMM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN(2x3) 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS2227-70 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:Flexible NV SRAM Stik
DS2228-100 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
DS2229 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:Word-Wide 8 Meg SRAM Stik