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参数资料
| 型号： | DS2227-70 |
| 英文描述： | Flexible NV SRAM Stik |
| 中文描述： | 灵活的非易失SRAM装饰贴 |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | DS2227-70 |
DS2227
6 of 10
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DS2227-70
DS2227-100
DS2227-120
PARAMETER
SYMBOL
MIN
70
MAX
MIN
100
MAX
MIN
120
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
Access Time
OE
to Output
Valid
CE
to Output
Valid
OE
or
CE
to
Output Active
Output High Z
from Deselection
Output Hold from
Address Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup
Time
Write Recovery
Time
Output High Z
from
WE
Output Active
from
WE
Data Setup Time
Data Hold Time
from
WE
t
RC
t
ACC
ns
ns
10
10
70
100
120
t
OE
35
50
60
ns
10
t
CO
70
100
120
ns
10
t
COE
5
5
5
ns
10
t
OD
25
35
40
ns
10
t
OH
5
5
5
ns
10
t
WC
t
WP
70
55
100
75
120
90
ns
ns
10
3,10
t
AW
0
0
0
ns
10
t
WR
20
20
20
ns
10
t
ODW
25
35
40
ns
10
t
OEW
5
5
5
ns
8,10
t
DS
30
40
50
ns
4,10
t
DH
20
20
20
ns
4,5,10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS2227-100 | Flexible NV SRAM Stik |
| DS2227-120 | Flexible NV SRAM Stik |
| DS2227 | Flexible NV SRAM Stik |
| DS2229 | Word-Wide 8 Meg SRAM Stik |
| DS2252T | Secure Microcontroller Module |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS2228-100 | 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| DS2229 | 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:Word-Wide 8 Meg SRAM Stik |
| DS2229-100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 SRAM Module |
| DS2229-120 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:x16 SRAM Module |
| DS2229-85 | 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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