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参数资料
型号： DS2227
英文描述： Flexible NV SRAM Stik
中文描述： 灵活的NV SRAM存储条
文件页数： 8/10页
文件大小： 191K
代理商： DS2227
DS2227
8 of 10
POWER-UP/POWER-DOWN CONDITION
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
CE
at V
IH
Before
Power-down
V
CC
Slew from 4.5V to 4.25V
(
CE
at V
IH
)
V
CC
Slew from 0V to 4.5V
(
CE
at V
IH
)
CE
at V
IH
after Power-up
t
PD
0
μs
t
F
300
μs
t
R
0
μs
t
REC
2
80
125
ms
(T
A
= 25°C)
UNITS
years
PARAMETER
Expected Data Retention
SYMBOL
t
DR
MIN
10
TYP
MAX
NOTES
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PDF描述
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DS2227-070 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 70NS 72SIMM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS2227-100 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 100NS 72SIMM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS2227-120 功能描述:IC NVSRAM 4MBIT 120NS 72SIMM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS2227-70 制造商:DALLAS 制造商全称:Dallas Semiconductor 功能描述:Flexible NV SRAM Stik
DS2228-100 功能描述:静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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