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参数资料
| 型号： | DS2229 |
| 英文描述： | Word-Wide 8 Meg SRAM Stik |
| 中文描述： | 字宽8梅格SRAM的装饰贴 |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 374K |
| 代理商： | DS2229 |
DS2229
5 of 10
LOW VCC DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(t
A
= 0
°
C to 70
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
V
CC
for Data Retention
V
DR
2.0
TYP
-
MAX
-
UNITS
V
TEST CONTIDION
CE0
-
CE3
≥
V
CC
-0.2V,
CS
≥
V
CC
-0.2V or 0V
≤
CS
≤
0.2V V
IN
≥
0V
V
CC
= 3.0V, V
IN
≥
0V
CE0
-
CE3
≥
V
CC
-0.2V,
CS
≥
V
CC
-0.2V or 0V
≤
CS
≤
0.2V t
A
=25°C
See Retention
Waveform
Data Retention Current
I
CCDR
-
1
8
μ
A
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
t
CDR
0
-
-
ns
t
R
5
-
-
ms
LOW V
CC
DATA RETENTION TIMING WAVEFORM (1)
(
CE0
-
CE3
Controlled)
Figure 3
SEE NOTE 5
LOW V
CC
DATA RETENTION TIMING WAVEFORM (2)
(CS Controlled) Figure 4
SEE NOTE 5
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PDF描述 |
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