参数资料
| 型号： | DS3231MZ+ |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RTC I2C 8SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 100 |
| 类型： | 时钟/日历 |
| 特点： | 警报器，闰年，方波输出 |
| 时间格式： | HH:MM:SS（12/24 小时） |
| 数据格式： | YY-MM-DD-dd |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 5.5 V |
| 电压 - 电源，电池： | 2.3 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
±5ppm, I2C Real-Time Clock
3
Maxim Integrated
DS3231M
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS—POWER SWITCH
(TA = -45NC to +85NC, unless otherwise noted.) (Figure 2)
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS—GENERAL (continued)
(VCC = +2.3V to +5.5V, TA = -45NC to +85NC, unless otherwise noted. Typical values are at VCC = +3.3V, VBAT = +3.0V, and TA =
+25NC, unless otherwise noted.)
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS—VBAT CURRENT CONSUMPTION
(VCC = 0V, VBAT = +2.3V to +5.5V, TA = -45NC to +85NC, unless otherwise noted. Typical values are at VCC = 0V, VBAT = +3.0V,
and TA = +25NC, unless otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Power-Fail Voltage
VPF
2.45
2.575
2.70
V
Logic 0 Output
(32KHZ, INT/SQW, SDA)
VOL
IOL = 3mA
0.4
V
Logic 0 Output
(RST)
VOL
IOL = 1mA
0.4
V
Output Leakage
(32KHZ, INT/SQW, SDA)
ILO
-0.1
+0.1
A
Input Leakage
(SCL)
ILI
-0.1
+0.1
A
RST I/O Leakage
IOL
-200
+10
A
VBAT Leakage
IBATLKG
25
100
nA
Temperature Accuracy
TEMPACC VCC or VBAT = +3.3V
Q
3
N
C
Temperature Conversion Time
tCONV
10
ms
Pushbutton Debounce
PBDB
250
ms
Reset Active Time
tRST
250
ms
Oscillator Stop Flag (OSF) Delay
tOSF
(Note 3)
125
200
ms
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Active Battery Current
(I2C Active) (Note 4)
IBATA
VBAT = +3.63V
70
A
VBAT = VBATMAX
150
Timekeeping Battery Current
(I2C Inactive) (Note 4)
IBATT
VBAT = +3.63V, EN32KHZ = 0
2
3.0
A
VBAT = VBATMAX, EN32KHZ = 0
2
3.5
Temperature Conversion Current
(I2C Inactive)
IBATTC
VBAT = +3.63V
575
A
VBAT = VBATMAX
650
Data Retention Current
(Oscillator Stopped and I2C
Inactive)
IBATDR
TA = +25NC
100
nA
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VCC Fall Time, VPFMAX to
VPFMIN
tVCCF
300
F
s
VCC Rise Time, VPFMIN to
VPFMAX
tVCCR
0
F
s
Recovery at Power-Up
tREC
(Note 5)
250
300
ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS3231SN#T&R | IC RTC W/TCXO 16-SOIC |
| DS3232MZ+ | IC RTC W/SRAM I2C 8SOIC |
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| DS32C35-33#T&R | IC RTC ACCURATE I2C 3.3V 20-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS3231MZ/V+ | 功能描述:实时时钟 TRC/TCMO MEMS 8L RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| DS3231MZ/V+T | 功能描述:实时时钟 TRC/TCMO MEMS 8L RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| DS3231MZ+ | 功能描述:实时时钟 5+/-ppm RTC RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| DS3231MZ+TRL | 功能描述:实时时钟 5+/-ppm RTC RoHS:否 制造商:Microchip Technology 功能:Clock, Calendar. Alarm RTC 总线接口:I2C 日期格式:DW:DM:M:Y 时间格式:HH:MM:SS RTC 存储容量:64 B 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.8 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| DS3231MZEVKIT# | 功能描述:时钟和定时器开发工具 Evaluation kit for t he +/-5ppm, I2C Real RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:Evaluation Modules 类型:Clock Conditioners 工具用于评估:LMK04100B 频率:122.8 MHz 工作电源电压:3.3 V |
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