参数资料
型号: DS75-12B
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 41K
描述: DIODE ANODE 1200V 110A DO-203AB
标准包装: 10
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1200V(1.2kV)
电流 - 平均整流 (Io): 110A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.17V @ 150A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 6mA @ 1200V
安装类型: 底座,接线柱安装
封装/外壳: DO-203AB,DO-5,接线柱
供应商设备封装: DO-203AB
包装: 散装
? 2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
DS 75 DSI 75
DSA 75 DSAI 75
11023456789ms
104
105
10-3
10-2
10-1
100
0
500
1000
1500
0.0 0.5 1.0 1.5
V
0
50
100
I
150F
200
0 50 100 150 200A
0 50 100 150 2000
°C
0
50
100
150
200
10-3
10-2
10-1
100
101
102
103
0.0
0.5
1.0
1.5
I2t
IFSM
A
VF
t
s
t
PF
W
IF(AV)M
Tamb
t
s
ZthJH
K/W
A2s
0 40 80 120 160 200°C
0
50
100
150
200
IF(AV)M
Tcase
A
A
Fig. 6 Transient thermal impedance junction to heatsink
RthJH
for various conduction angles d:
dRthJH
(K/W)
DC 0.900
180
1.028
120
1.085
60
1.272
30
1.476
Constants for ZthJH
calculation:
iRthi
(K/W) t
i
(s)
1 0.0731 0.0015
2 0.1234 0.0237
3 0.4035 0.4838
4 0.3000 1.5
Fig. 1 Forward characteristics Fig. 2 Surge overload current
IFSM: crest value, t: duration
Fig. 3 I2t
versus time (1-10 ms)
Fig. 4 Power dissipation versus forward current and ambient temperature Fig. 5 Max. forward current at case
temperature
6
4
2
typ. lim.
TVJ= 180°C
TVJ= 25°C
TVJ = 180°C
TVJ = 45°C
50Hz, 80%VRRM
TVJ = 45°C
TVJ = 180°C
VR = 0 V
DC
180° sin
120°
60°
30°
DC
180° sin
120°
60°
30°
RthJA :
1 K/W
1.2 K/W
1.6 K/W
2 K/W
3 K/W
4 K/W
30°
60°
120°
180°
DC
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PDF描述
T95V156M004CSSL CAP TANT 15UF 4V 20% 1410
DSI75-08B DIODE CATH 1200V 110A DO-203AB
T95V156K004CSSL CAP TANT 15UF 4V 10% 1410
7A-16.9344MAAJ-T CRYSTAL 16.9344 MHZ 18PF SMD
DS75-08B DIODE ANODE 800V 110A DO-203AB
相关代理商/技术参数
参数描述
DS751-40WB 制造商:WILLAS 制造商全称:WILLAS 功能描述:WBFBP-02C Plastic-Encapsulate Diodes
DS75150 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:Dual Line Driver
DS75150 WAF 制造商:Texas Instruments 功能描述:
DS75150J-8 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Line Driver
DS75150J-8/A+ 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Line Driver