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参数资料
| 型号： | DS90CR218AMTD/NOPB |
| 厂商： | National Semiconductor |
| 文件页数： | 13/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC RCVR 21BIT CHAN LINK 48TSSOP |
| 产品培训模块： | Interconnect Solutions for LVDS Applications |
| 标准包装： | 38 |
| 类型： | 接收器 |
| 驱动器/接收器数： | 21/21 |
| 规程： | LVDS |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 48-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1280 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *DS90CR218AMTD *DS90CR218AMTD/NOPB DS90CR218AMTD |
SNLS226A – OCTOBER 2006 – REVISED FEBRUARY 2013
Electrical Characteristics (continued)
Over recommended operating supply and temperature ranges unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
s
VOS
Offset Voltage (1)
1.12
1.25
1.37
V
5
ΔVOS
Change in VOS between Complimentary Output
35
mV
States
IOS
Output Short Circuit Current
VOUT = 0V, RL = 100Ω
3.5
5
mA
IOZ
Output TRI-STATE Current
PWR DWN = 0V, VOUT = 0V or VCC
±1
±10
μA
TRANSMITTER SUPPLY CURRENT
ICCTW
Transmitter Supply Current Worst Case (with
RL = 100Ω,
f = 33 MHz
28
42
mA
Loads)
CL = 5 pF,
f = 40 MHz
29
47
mA
Worst Case Pattern
f = 66 MHz
34
52
mA
f = 85 MHz
39
57
mA
ICCTZ
Transmitter Supply Current Power Down
PWR DWN = Low
Driver Outputs in TRI-STATE
10
55
μA
under Powerdown Mode
(1)
VOS previously referred as VCM.
Transmitter Switching Characteristics
Over recommended operating supply and temperature ranges unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
LLHT
LVDS Low-to-High Transition Time (Figure 4)
0.75
1.5
ns
LHLT
LVDS High-to-Low Transition Time (Figure 4)
0.75
1.5
ns
TCIT
TxCLK IN Transition Time (Figure 5)
1.0
6.0
ns
TPPos0
Transmitter Output Pulse Position for Bit0 (Figure 12)
f = 85 MHz
0.20
0
0.20
ns
TPPos1
Transmitter Output Pulse Position for Bit1
1.48
1.68
1.88
ns
TPPos2
Transmitter Output Pulse Position for Bit2
3.16
3.36
3.56
ns
TPPos3
Transmitter Output Pulse Position for Bit3
4.84
5.04
5.24
ns
TPPos4
Transmitter Output Pulse Position for Bit4
6.52
6.72
6.92
ns
TPPos5
Transmitter Output Pulse Position for Bit5
8.20
8.40
8.60
ns
TPPos6
Transmitter Output Pulse Position for Bit6
9.88
10.08
10.28
ns
TCIP
TxCLK IN Period (Figure 7)
11.76
T
50
ns
TCIH
TxCLK IN High Time (Figure 7)
0.35T
0.5T
0.65T
ns
TCIL
TxCLK IN Low Time (Figure 7)
0.35T
0.5T
0.65T
ns
TSTC
TxIN Setup to TxCLK IN (Figure 7)
f = 85 MHz
2.5
ns
THTC
TxIN Hold to TxCLK IN (Figure 7)
0
ns
TCCD
3.8
6.3
ns
TPLLS
Transmitter Phase Lock Loop Set (Figure 9)
10
ms
TPDD
Transmitter Powerdown Delay (Figure 11)
100
ns
TJIT
TxCLK IN Cycle-to-Cycle Jitter
2
ns
4
Copyright 2006–2013, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Links: DS90CR217
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTC2440IGN#PBF | IC ADC DIFFER 24-BIT HS 16-SSOP |
| VE-B1T-MX-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 6.5V 75W |
| VE-J5K-MY-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W |
| DS90CR217MTD/NOPB | IC TXRX 21BIT CHAN LINK 48TSSOP |
| CS5364-CQZ | IC ADC 4CH 114DB 216KHZ 48-LQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS90CR218AMTDX | 功能描述:串行器/解串器 - Serdes RoHS:否 制造商:Texas Instruments 类型:Deserializer 数据速率:1.485 Gbit/s 输入类型:ECL/LVDS 输出类型:LVCMOS 输入端数量:1 输出端数量:20 工作电源电压:2.375 V to 2.625 V 工作温度范围:0 C to + 70 C 封装 / 箱体:TQFP-64 |
| DS90CR218AMTDX/NOPB | 功能描述:LVDS 接口集成电路 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 激励器数量:4 接收机数量:4 数据速率:155.5 Mbps 工作电源电压:5 V 最大功率耗散:1025 mW 最大工作温度:+ 85 C 封装 / 箱体:SOIC-16 Narrow 封装:Reel |
| DS90CR218MTD | 制造商:NSC 制造商全称:National Semiconductor 功能描述:+3.3V Rising Edge Data Strobe LVDS 21-Bit Channel Link - 75 MHz |
| DS90CR218MTD/NOPB | 功能描述:IC RCVR 21BIT CHAN LINK 48TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 驱动器，接收器，收发器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:收发器 驱动器/接收器数:2/2 规程:RS232 电源电压:3 V ~ 5.5 V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| DS90CR218MTDX | 功能描述:IC RCVR 21BIT CHAN LINK 48TSSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 接口 - 驱动器，接收器，收发器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 类型:收发器 驱动器/接收器数:2/2 规程:RS232 电源电压:3 V ~ 5.5 V 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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