参数资料
型号: DSA50C100QB
厂商: IXYS
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文件大小: 118K
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 2X25A TO-3P
标准包装: 30
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 900mV @ 25A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 450µA @ 100V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 25A
电压 - (Vr)(最大): 100V
二极管类型: 肖特基
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3P
包装: 管件
DSA50C100QB
1
2
3
Outlines TO-3P
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131031a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
DSA50C100QB_1 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Schottky Diode Gen 2 High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery
DSA50C150HB 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Amps 150V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
DSA535SA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SMD Type (VC-) TCXO
DSA5G01B0L 功能描述:两极晶体管 - BJT Bipolar Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA60C100PB 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Amps 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel