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参数资料
| 型号： | DSA75-16B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 41K |
| 描述： | DIODE, RECT, ANODE STUD,DO-203AB |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 雪崩 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1600V（1.6kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 110A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.17V @ 150A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 6mA @ 1600V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-203AB |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | Q3238069 |
          ? 2000 IXYS All rights reserved 1 - 2 VRSM V(BR)min VRRM Anode Cathode V V V on stud on stud 900 - 800 DS75-08B DSI75-08B 1300 - 1200 DS75-12B DSI75-12B 1300 1300 1200 DSA75-12B DSAI75-12B 1700 1760 1600 DSA75-16B DSAI75-16B 1900 1950 1800 DSA75-18B DSAI75-18B Only for Avalanche Diodes Symbol Test Conditions Maximum Ratings I IF(RMS)F(AV)M T TVJcase = 100C; 180 sine 110 A = TVJM 160 A PRSM DSA(I) types, TVJ = T VJM, tp = 10 s20kWInternational standard package,JEDEC DO-203 AB (DO-5) IFSM T VVJR = 45C; t = 10 ms (50 Hz), sine 1400 A = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 1500 A T VVJR = T = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 1310 AVJM t = 10 ms (50 Hz), sine 1250 A I2t T VVJR = 45C t = 10 ms (50 Hz), sine 9800 A2s = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 9450 A2s T VVJR = T = 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 7210 AVJM 2s t = 10 ms (50 Hz), sine 7820 A2s T TVJ TVJMstg -40...+180 C 180 C -40...+180 C Md Mounting torque 2.4-4.5 Nm 21-40 lb.in. Weight 21 g VRRM = 800-1800 V IF(RMS) = 160 A IF(AV)M = 110 A Features Planar glassivated chips Applications High power rectifiers Field supply for DC motors Power supplies Advantages Space and weight savings Simple mounting Improved temperature and power cycling Reduced protection circuits Symbol Test Conditions Characteristic Values IR TVJ = TVJM; VR = V RRM 6mA VF IF= 150 A; TVJ = 25 C 1.17 V V r T0 T For power-loss calculations only 0.75 V TVJ = TVJM 2m R RthJCthJH DC current 0.5 K/W DC current 0.9 K/W d dS aA Creepage distance on surface 4.05 mm Strike distance through air 3.9 mm Max. allowable acceleration 100 m/s2 Dimensions in mm (1 mm = 0.0394") Data according to IEC 60747 IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions DS 75 DSI 75 DSA 75 DSAI 75 744 Rectifier Diode Avalanche Diode A = Anode C = Cathode DO-203 AB 1/4-28UNF DS DSIA DSA DSAIC C A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ML03510R2BAT2A | CAP MLO 0.2PF 50V 0603 |
| RMM43DRKS | CONN EDGECARD 86POS DIP .156 SLD |
| LM4041CYM3-ADJ TR | IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3 |
| AMM24DSXN | CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD |
| LM4040CYM3-2.5 TR | IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT-23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSA75-18B | 功能描述:整流器 1800V 75A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSA7U0100L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7U01Q0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA7U01R0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA80C100PB | 功能描述:肖特基二极管与整流器 80 Amps 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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