收藏本站
参数资料
型号： DSA75-18B
厂商： IXYS
文件页数： 1/2页
文件大小： 41K
描述： DIODE ANODE 1800V 110A DO-203AB
标准包装： 10
二极管类型： 雪崩
电压 - (Vr)（最大）： 1800V（1.8kV）
电流 - 平均整流 (Io)： 110A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.17V @ 150A
速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 6mA @ 1800V
安装类型： 底座，接线柱安装
封装/外壳： DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商设备封装： DO-203AB
包装： 散装
? 2000 IXYS All rights reserved
1 - 2
VRSM
V(BR)min
VRRM
Anode Cathode
V V V on stud on stud
900 - 800 DS75-08B DSI75-08B
1300 - 1200 DS75-12B DSI75-12B
1300 1300 1200 DSA75-12B DSAI75-12B
1700 1760 1600 DSA75-16B DSAI75-16B
1900 1950 1800 DSA75-18B DSAI75-18B
Only for Avalanche Diodes
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
I
IF(RMS)F(AV)M
T
TVJcase
= 100C; 180
sine 110 A
= TVJM
160 A
PRSM
DSA(I) types, TVJ
= T
VJM, tp
= 10
s20kWInternational standard package,JEDEC DO-203 AB (DO-5)
IFSM
T
VVJR
= 45C; t = 10 ms (50 Hz), sine 1400 A
= 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 1500 A
T
VVJR
= T
= 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 1310 AVJM
t = 10 ms (50 Hz), sine 1250 A
I2t
T
VVJR
= 45C t = 10 ms (50 Hz), sine 9800 A2s
= 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 9450 A2s
T
VVJR
= T
= 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 7210 AVJM
2s
t = 10 ms (50 Hz), sine 7820 A2s
T
TVJ
TVJMstg
-40...+180
C
180
C
-40...+180
C
Md
Mounting torque 2.4-4.5 Nm
21-40 lb.in.
Weight
21 g
VRRM
= 800-1800 V
IF(RMS)
= 160 A
IF(AV)M
= 110 A
Features
Planar glassivated chips
Applications
High power rectifiers
Field supply for DC motors
Power supplies
Advantages
Space and weight savings
Simple mounting
Improved temperature and power
cycling
Reduced protection circuits
Symbol Test Conditions Characteristic Values
IR
TVJ
= TVJM; VR
= V
RRM
6mA
VF
IF= 150 A; TVJ
= 25
C
1.17 V
V
r
T0
T
For power-loss calculations only 0.75 V
TVJ
= TVJM
2m
R
RthJCthJH
DC current 0.5 K/W
DC current 0.9 K/W
d
dS
aA
Creepage distance on surface 4.05 mm
Strike distance through air 3.9 mm
Max. allowable acceleration 100 m/s2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Data according to IEC 60747
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
DS 75 DSI 75
DSA 75 DSAI 75
744
Rectifier Diode
Avalanche Diode
A = Anode C = Cathode
DO-203 AB
1/4-28UNF
DS DSIA
DSA DSAIC
C
A
相关PDF资料
PDF描述
ML03510R4BAT2A CAP MLO 0.4PF 50V 0603
ISL97801ARZ-T IC LED DRIVER AUTOMOTIVE 20-QFN
GSA50DRSD-S273 CONN EDGECARD 100PS DIP .125 SLD
ZR431F01TA IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
DSAI75-16B DIODE AVAL 1600V 110A DO-203AB
相关代理商/技术参数
参数描述
DSA7U0100L 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA7U01Q0L 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA7U01R0L 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
DSA80C100PB 功能描述:肖特基二极管与整流器 80 Amps 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
DSA80C45HB 功能描述:肖特基二极管与整流器 80 Amps 45V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*