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参数资料
| 型号： | DSA80C45HB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 86K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 45V 2X40A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 780mV @ 40A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 750nA @ 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 40A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
DSA80C45HB
preliminary
Low Loss and Soft Recovery
High Performance Schottky Diode
Common Cathode
Schottky Diode Gen 2
1
2
3
Part number
DSA80C45HB
Backside: cathode
I= AFAV
2x
VVF
=
0.69
V= VRRM
40
45
Features / Advantages: Applications: Package:
TO-247
●
Very low Vf
●
Extremely low switching losses
●
Low Irm values
●
Improved thermal behaviour
●
High reliability circuit operation
●
Low voltage peaks for reduced
protection circuits
●
Low noise switching
●
Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
●
Free wheeling diode in low voltage
converters
●
Industry standard outline
●
RoHS compliant
●
Epoxy meets UL 94V-0
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131030a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSA90C200HB | DIODE SCHTTKY 200V 2X45A TO247AD |
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| DSB60C45HB | DIODE SCHOTTKY 45V 2X30A TO247AD |
| DSB60C60PB | DIODE SCHOTTKY 60V 2X30A TO-220 |
| DSB80C45HB | DIODE SCHOTTKY 45V 2X40A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DSA9001R0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| DSA9001S0L | 功能描述:两极晶体管 - BJT SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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