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参数资料
型号： DSAI35-12A
厂商： IXYS
文件页数： 1/2页
文件大小： 40K
描述： DIODE CATH 1200V 49A DO-203AB
标准包装： 10
二极管类型： 雪崩
电压 - (Vr)（最大）： 1200V（1.2kV）
电流 - 平均整流 (Io)： 49A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.55V @ 150A
速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 4mA @ 1200V
安装类型： 底座，接线柱安装
封装/外壳： DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商设备封装： DO-203AB
包装： 散装
? 2000 IXYS All rights reserved
1 - 2
VRSM
V(BR)min
VRRM
Anode Cathode
V V V on stud on stud
900 - 800 DS35-08A DSI35-08A
1300 - 1200 DS35-12A DSI35-12A
1300 1300 1200 DSA35-12A DSAI35-12A
1700 1750 1600 DSA35-16A DSAI35-16A
1900 1950 1800 DSA35-18A DSAI35-18A
Only for Avalanche Diodes
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
I
IF(RMS)F(AVM)
T
TVJcase
= 100C; 180
sine 49 A
= TVJM
80 A
PRSM
DSA(I) types, TVJ
= T
VJM, tp
= 10
s11kWInternational standard package,JEDEC DO-203 AB (DO-5)
IFSM
T
VVJR
= 45C; t = 10 ms (50 Hz), sine 650 A
= 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 690 A
T
VVJR
= T
= 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 640 AVJM
t = 10 ms (50 Hz), sine 600 A
I2t
T
VVJR
= 45C t = 10 ms (50 Hz), sine 2100 A2s
= 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 2000 A2s
T
VVJR
= T
= 0 t = 8.3 ms (60 Hz), sine 1700 AVJM
2s
t = 10 ms (50 Hz), sine 1800 A2s
T
TVJ
TVJMstg
-40...+180
C
180
C
-40...+180
C
Md
Mounting torque 4.5-5.5 Nm
40-49 lb.in.
Weight
15 g
VRRM
= 800-1800 V
IF(RMS)
= 80 A
IF(AV)M
= 49 A
Features
Planar glassivated chips
Applications
High power rectifiers
Field supply for DC motors
Power supplies
Advantages
Space and weight savings
Simple mounting
Improved temperature and power
cycling
Reduced protection circuits
Symbol Test Conditions Characteristic Values
IR
TVJ
= TVJM; VR
= V
RRM
4mA
VF
IF= 150 A; TVJ
= 25
C
1.55 V
V
r
T0
T
For power-loss calculations only 0.85 V
TVJ
= TVJM
4.5 m
R
RthJCthJH
DC current 1.05 K/W
DC current 1.25 K/W
d
dS
aA
Creepage distance on surface 4.05 mm
Strike distance through air 3.9 mm
Max. allowable acceleration 100 m/s2
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Data according to IEC 60747
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions
DS 35 DSI 35
DSA 35 DSAI 35
Rectifier Diode
Avalanche Diode
A = Anode C = Cathode
DO-203 AB
DS DSIA
DSA DSAIC
C
A
1/4-28UNF
相关PDF资料
PDF描述
1140-821K-RC CHOKE RF HI CURR 820UH 10% RAD
ESM08DRSI-S288 CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
788796-1 CONN D-SUB RCPT 9POS R/A GOLD
3-1634225-2 CONN D-SUB RCPT 37POS VERT GOLD
1-1634221-2 CONN D-SUB PLUG 37POS VERT GOLD
相关代理商/技术参数
参数描述
DSAI35-16A 功能描述:整流器 Avalanche Rectifier 1600V, 35A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
DSAI35-18A 功能描述:整流器 35 Amps 1800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
DSAI75-12B 功能描述:整流器 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
DSAI75-16B 功能描述:整流器 1600V 110A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
DSAI75-18B 功能描述:整流器 1800V 75A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
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