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参数资料
型号： DSEC240-04A
厂商： IXYS
文件页数： 1/4页
文件大小： 0K
描述： DIODE UFAST 400V 120A SOT-227B
标准包装： 10
系列： HiPerFRED™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.07V @ 120A
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 2mA @ 400V
电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： 120A
电压 - (Vr)（最大）： 400V
反向恢复时间(trr)： 30ns
二极管类型： 标准
速度： 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
二极管配置： 1 对共阴极
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装： SOT-227B
包装： 管件
DSEC240-04A
HiPerFRED
High Performance Fast Recovery Diode
Low Loss and Soft Recovery
V RRM = 400 V
I FAV = 2x 120 A
t rr = 30 ns
Common Cathode
Part number
DSEC240-04A
Backside: cathode
Features / Advantages:
● Planar passivated chips
● Very low leakage current
● Very short recovery time
● Improved thermal behaviour
● Very low Irm-values
● Very soft recovery behaviour
● Avalanche voltage rated for reliable operation
● Soft reverse recovery for low EMI/RFI
Applications:
● Antiparallel diode for high frequency
switching devices
● Antisaturation diode
● Snubber diode
● Free wheeling diode
● Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
● Uninterruptible power supplies (UPS)
Package:
● Housing: SOT-227UI (minibloc)
● r Industry standard outline
● r Epoxy meets UL 94V-0
● r RoHS compliant
● Low Irm reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating switch
Ratings
Symbol
V RRM
I R
Definition
max. repetitive reverse voltage
reverse current
Conditions
V R = 400 V
T VJ = 25 °C
T VJ = 25 °C
min.
typ.
max.
400
2
Unit
V
mA
V R = 400 V
T VJ = 150 °C
8
mA
V F
forward voltage
I F = 120 A
T VJ = 25 °C
1.35
V
I F = 240 A
1.63
V
I F = 120 A
I F = 240 A
T VJ = 150 °C
1.00
1.33
V
V
I FAV
average forward current
rectangular
d = 0.5
T C = 115°C
120
A
V F0
r F
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
T VJ = 150°C
0.68
2.7
V
m ?
R thJC
thermal resistance junction to case
0.20
K/W
T VJ
P tot
virtual junction temperature
total power dissipation
T C = 25 °C
-55
150
620
°C
W
I FSM
I RM
t rr
max. forward surge current
max. reverse recovery current
reverse recovery time
t = 10 ms (50 Hz), sine
I F = 120 A; V R = 200 V
-di F /dt = 600 A/μs
T VJ = 45°C
T VJ = 25 °C
T VJ = 100°C
T VJ = 25 °C
20
35
30
2000
A
A
A
ns
T VJ = 100°C
75
ns
C J
junction capacitance
V R = 200 V; f = 1 MHz
T VJ = 25 °C
364
pF
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110601a
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