- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录620 > DSEI 2X61-02A (IXYS)DIODE FRED 200V 71A SOT-227 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DSEI 2X61-02A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE FRED 200V 71A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.08V @ 60A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 71A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | Q917102 |
DSEI 2x 61, 200V
I F
160
A
140
120
100
80
Q r
0.8
μ C
0.6
0.4
T VJ = 100 ° C
V R = 100V
I F = 35A
I F = 70A
I F =140A
I RM
30
A
25
20
15
T VJ = 100 ° C
V R = 100V
I F = 35A
I F = 70A
T VJ =150 ° C
I F =140A
60
40
20
T VJ =100 ° C
T VJ =25 ° C
0.2
10
5
0
0.0
0
0.0
0.4
0.8
1.2 V
10
100
A/ s 1000
0
200
400
600
A/ s
800 1000
V F
Fig. 1 Forward current I F versus V F
-di F /dt
Fig. 2 Typ. reverse recovery charge Q r
versus -di F /dt
-di F /dt
Fig. 3 Typ. peak reverse current I RM
versus -di F /dt
1.6
1.4
70
ns
60
T VJ = 100 ° C
V R = 100V
5
V
T VJ = 100 ° C
I F = 100A
2.5
μ s
K f
1.2
t rr
50
V FR
4
t fr
V FR
2.0
t fr
1.0
40
3
1.5
0.8
I RM
30
I F =35A
I F =70A
I F =140A
2
1.0
0.6
20
0.4
0.2
Q r
10
0
1
0
0.5
0.0
0
40
80
120 ° C 160
0
200
400
600
A/ 800 s
1000
0
200
400
600
s
A/ 800
T VJ
Fig. 4 Dynamic parameters Q r , I RM
versus T VJ
-di F /dt
Fig. 5 Typ. recovery time t rr
versus -di F /dt
di F /dt
Fig. 6 Typ. peak forward voltage V FR
and t fr versus di F /dt
1
K/W
Dimensions
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
31.50 31.88
Inches
Min. Max.
1.240 1.255
B
C
7.80
4.09
8.20
4.29
0.307
0.161
0.323
0.169
Z thJC
0.1
Constants for
Z thJC calculation:
R thi / (K/W) t i / (s)
D
E
F
G
H
J
K
L
M
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
0.1000
0.3400
0.3600
0.00014
0.00600
0.16500
N
O
P
Q
25.15
1.98
4.95
26.54
25.42
2.13
5.97
26.90
0.990
0.078
0.195
1.045
1.001
0.084
0.235
1.059
0.01
0.0001 0.001 0.01 0.1 1
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case
t
DSEI 2x61-02
s 10
miniBLOC SOT-227 B
M4 screws (4x) supplied
R
S
T
U
V
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
W
0.780
0.830
19.81
21.08
? 2000 IXYS All rights reserved
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSEI2X101-06A | DIODE FRED 600V 96A SOT-227 |
| DSEI2X101-06P | DIODE FRED 600V 96A ECO-PAC2 |
| DSEI2X101-12P | DIODE FRED 1200V 91A ECO-PAC2 |
| DSEI2X121-02A | DIODE FRED 200V 2X123A SOT-227 |
| DSEI2X121-02P | DIODE FRED 200V 123A ECO-PAC2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DSEI2x61-02A | 功能描述:整流器 120 Amps 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEI2X61-02P | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DSEI2x61-04C | 功能描述:整流器 120 Amps 400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| DSEI2X61-05C | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
| DSEI2X61-06B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:ARRAY OF INDEPENDENT DIODES|SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。