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参数资料
| 型号： | DSEI2X101-06A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE FRED 600V 96A SOT-227 |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 100A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 3mA @ 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 96A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
DSEI2x101-06A
Fast Diode
150
7
T VJ = 100°C
80
I F = 200 A
125
6
V R = 300 V
70
100 A
50 A
I F
100
Q r
5
4
I F = 200 A
60
I RM 50
[A]
75
50
25
T VJ = 150°C
100°C
25°C
[ μ C] 3
2
1
100 A
50 A
[A]
40
30
20
10
T VJ = 100°C
V R = 300 V
0
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
1 0 0
1 0 0 0
0
200
400
600
800
1000
V F [V]
Fig. 1 Forward current
I F versus V F
-di F /dt [A/ μ s]
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Q rr versus -di F /dt
-di F /dt [A/ μ s]
Fig. 3 Typ. peak reverse current
I RM versus -di F /dt
1.4
260
60
3.0
T VJ = 100°C
1.2
240
V R = 300 V
50
T VJ = 100°C
V R = 300 V
2.5
220
40
2.0
K f
1.0
0.8
t rr 200
[ns] 180
V FR
[V]
30
20
t fr
1.5
[ μ s]
1.0
I RM
160
0.6
Q rr
140
I F = 200 A
100 A
10
0.5
50 A
V FR
t fr
0.4
120
0
0.0
0
50
100
150
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
1
Z thJC
T VJ [°C]
Fig. 4 Typ. dyn. parameters
Q r , I RM versus T VJ
D=0.7
0.5
-di F /dt [A/ μ s]
Fig. 5 Typ. recovery time
t rr versus -di F /dt
-di F /dt [A/ μ s]
Fig. 6 Typ. peak forward voltage
V FR and t fr versus di F /dt
Constants for Z thJC calculation:
[K/W]
0.1
0.3
0.2
0.1
0.05
i
1
2
3
R thi
[K/W]
0.020
0.020
0.076
t i
[s]
0.00002
0.00081
0.01
0.05
Single Pulse
4
5
0.240
0.114
0.94
0.45
0.001
0.01
0.1
1
10
t [s]
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2013 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
20130703b
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PDF描述 |
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