参数资料
型号: DSEI2X121-02A
厂商: IXYS
文件页数: 2/2页
文件大小: 0K
描述: DIODE FRED 200V 2X123A SOT-227
产品目录绘图: SOT-227, SOT-227B miniBLOC
标准包装: 10
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.1V @ 120A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1mA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 123A
电压 - (Vr)(最大): 200V
反向恢复时间(trr): 50ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
DSEI 2x 121, 200V
200
A
175
2.0
μ C
T VJ = 100 ° C
V R = 100V
60
A
50
T VJ = 100 ° C
V R = 100V
I F
150
125
Q r 1.5
I RM
40
I F =240A
I F =120A
100
75
T VJ =150 ° C
T VJ =100 ° C
1.0
I F =240A
I F =120A
I F = 60A
30
20
I F = 60A
50
0.5
25
0
T VJ =25 ° C
0.0
10
0
0.0
0.5
1.0
V
1.5
10
100
A/ s 1000
0
200
400
600
A/ s
800 1000
V F
Fig. 1 Forward current I F versus V F
-di F /dt
Fig. 2 Typ. reverse recovery charge Q r
versus -di F /dt
-di F /dt
Fig. 3 Typ. peak reverse current I RM
versus -di F /dt
2.0
150
ns
T VJ = 100 ° C
V R = 100V
12
V
T VJ = 100 ° C
I F = 120A
3.0
μ s
1.5
K f
Q r
I RM
t rr 125
I F =240A
I F =120A
I F = 60A
10
V FR
8
t fr
V FR
2.5
2.0
t fr
1.0
0.5
0.0
100
75
50
6
4
2
0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
50
100
° C 150
0
200
400
600
800 A/ s
0
100 200 300 400 500 A/ s
T VJ
Fig. 4 Dynamic parameters Q r , I RM
versus T VJ
1
K/W
-di F /dt
Fig. 5 Typ. recovery time t rr
versus -di F /dt
di F /dt
Fig. 6 Typ. peak forward voltage
V FR and t fr versus di F /dt
Constants for Z thJC calculation:
D=0.5
i
R thi (K/W)
t i (s)
0.1
Z thJC
0.2
0.1
1
2
3
0.0725
0.1423
0.2852
0.028
0.092
0.35
0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
0.001
0.01
0.1
1 s
t
10
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case at various duty cycles
? 2000 IXYS All rights reserved
2-2
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