参数资料
型号: DSEP2X31-06A
厂商: IXYS
文件页数: 4/4页
文件大小: 0K
描述: DIODE FRED 600V 30A SOT-227B
标准包装: 10
系列: HiPerFRED™
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 2.49V @ 30A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 250µA @ 600V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 30A
电压 - (Vr)(最大): 600V
反向恢复时间(trr): 30ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
DSEP2x31-06A
70
60
3000
2500
T VJ = 100°C
V R = 300 V
50
40
T VJ = 100°C
V R = 300 V
I F
50
40
T VJ = 150°C
100°C
Q r
2000
1500
I F = 60 A
30 A
I RM
30
I F = 60 A
30 A
15 A
[A] 30
20
25°C
[nC]
1000
15 A
[A]
20
10
0
500
0
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1 0 0
1 0 0 0
0
200
400
600
800
1000
V F [V]
Fig. 1 Forward current I F vs. V F
-di F /dt [A/μs]
Fig. 2 Reverse recovery charge
Q r versus -di F /dt
-di F /dt [A/μs]
Fig. 3 Peak reverse current
I RM versus -di F /dt
2.0
130
T VJ = 100°C
20
1.2
120
V R = 300 V
1.5
K f 1.0
0.5
I RM
t rr
[ns]
110
100
90
I F = 60 A
30 A
15 A
15
V FR
10
[V]
5
T VJ = 100°C
I F = 30 A
0.9
t rr
0.6
[μs]
0.3
Q r
80
V FR
t fr
0.0
70
0
0.0
0
40
80
120
160
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
T VJ [°C]
Fig. 4 Dynamic parameters
Q r , I RM versus T VJ
-di F /dt [A/μs]
Fig. 5 Recovery time
t rr versus -di F /dt
-di F /dt [A/μs]
Fig. 6 Peak forward voltage
V FR and tfr versus di F /dt
2
1
Constants for Z thJC calculation:
0.1
Z thJC
[K/W]
0.01
0.001
DSEP 2x31-06A
i R thi (K/W)
1 0.436
2 0.482
3 0.117
4 0.115
t i (s)
0.0055
0.0092
0.0007
0.0418
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t [s]
Fig. 7 Transient thermal resistance junction to case
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2010 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20100531a
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