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参数资料
| 型号： | DSEP2X31-12A |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE FRED 1200V 30A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFRED™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.72V @ 30A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 30A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 40ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
DSEP2x31-12A
70
5
T VJ = 125°C
60
I F
60
50
40
[A] 30
T VJ = 150°C
100°C
25°C
Q r
[μC]
4
3
2
V R = 800 V
I F = 60 A
30 A
15 A
I RM
[A]
50
40
30
I F = 60 A
30 A
15 A
20
20
10
0
1
0
10
0
T VJ = 125°C
V R = 800 V
0
1
23
4
1 0 0
1 0 0 0
0
200
400
600
800
1000
V F [V]
Fig. 1 Forward current I F vs. V F
-di F /dt [A/μs]
Fig. 2 Typ. reverse recovery charge Q r
versus -di F /dt
-di F /dt [A/μs]
Fig. 3 Typ. peak reverse current I RM
versus -di F /dt
[μs]
2.0
1.5
K f 1.0
t rr
[ns]
220
200
180
T VJ = 125°C
V R = 800 V
I F = 60 A
30 A
15 A
120
100
80
V FR
60
T VJ = 125°C
I F = 30 A
1.2
1.0
0.8
t rr
0.6
160
[V]
0.5
I RM
40
0.4
0.0
Q R
140
120
20
0
V FR
t rr
0.2
0.0
0
40
80
120
160
0
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
T VJ [°C]
Fig. 4 Dynamic parameters Q r , I RM
versus T VJ
2
1
-di F /dt [A/μs]
Fig. 5 Typ. recovery time t rr vs. -di F /dt
-di F /dt [A/μs]
Fig. 6 Typ. peak forward voltage
V FR and t fr versus di F /dt
Constants for Z thJC calculation:
i R thi (K/W) t i (s)
1 0.368
0.0052
0.1
Z thJC
[K/W]
0.01
0.001
2 0.1417
3 0.0295
4 0.5604
0.0003
0.0004
0.0092
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t [s]
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
? 2011 IXYS all rights reserved
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
20110531b
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PDF描述 |
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